Fuji Electric 2SK2850 N-MOSFET Transistor, 900V 6A, 1.87 Ohm Rds(on), TO-3P Kapsling, Höghastighetsk

Teknisk beskrivning av produkten (2SK2850):

Spänning Vds(max): 900V. Idss (max): 200uA. ID (T=25°C): 6A. On-resistans Rds On: 1.87 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-3P. Kapsling: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Driftstemperatur: -...+150°C. Montering/installation: Genomgående hålmontering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Höghastighetskoppling. Teknologi: TT-MOSV. G-S Skydd: nej. Td(off): 110 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 20 ns. Antal per kapsling: 1. Id(imp): 24A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 950pF. C(out): 140pF. Trr Diod (Min.): 900ns. Pd (Effektförlust, Max): 125W. Drain-source skydd: ja. Gate/source spänning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3.5V