Fuji Electric 2SK1217 N-Kanal MOSFET 900V 8A 1.5 Ohm TO-3PF

Teknisk beskrivning av produkten (2SK1217):

Spänning Vds(max): 900V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 8A. Tillståndsmotstånd Rds(on): 1.5 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-3PF. Kapsling: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Låg drivkraft, höghastighetsomkoppling. Teknologi: V-MOS. G-S Skydd: nej. Td(off): 300 ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 50 ns. Antal per kapsling: 1. Id(imp): 23A. Vgs(th) min.: 2.5V. C(in): 1400pF. C(out): 200pF. Trr Diod (Min.): 1000 ns. Pd (Effektförlust, max): 100W. Drain-source skydd: diod. Gate/source spänning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.