FET- och MOSFET-transistorer

P-kanal transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 1.6W. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: P-kanal

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, -30V, -11A, 1, SO, SO-8, 30 v. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 10 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 200 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2470pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Tillverkarens märkning: Utökat VGS-område (-25V) för batteridrivna applikationer. Spec info: FDS6675BZ. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 120ns. Td(på): 3 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

P-kanal transistor, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 1uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 2890pF. Kostnad): 500pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 40 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: ja. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. IDss (min): n/a. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 7.7m Ohms. RoHS: ja. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 210 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, -30V, -5.3A, 1, SO, SO-8, 30 v. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Kapsling (JEDEC-standard): 1. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: FDS9435A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 528pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Td(på): 7 ns. Teknik: P-Channel PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

P-kanal transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 2. Funktion: P-kanal MOSFET transistor. Antal terminaler: 8. RoHS: ja. Spec info: 0.075 Ohms. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD)

P-kanal transistor, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (max): 10uA. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spänning Vds(max): 25V. RoHS: ja. C(tum): 63pF. Kostnad): 34pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): ytmonterad komponent (SMD). Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Låg inmatningsavgift. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 304. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.35W. Resistans Rds På: 1.22 Ohms. Spec info: Drift gate spänning så låg som 2,5V. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 55 ns. Td(på): 7 ns. Teknik: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V

P-kanal transistor, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. ID (T=25°C): 36A. Idss (max): 100uA. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 2550pF. Kostnad): 710pF. Kanaltyp: P. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 30. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 198 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 25.5A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 294W. Resistans Rds På: 0.076 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Låg grindladdning (typisk 81nC). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 155 ns. Td(på): 50 ns. Teknik: DMOS-teknik. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-kanal transistor, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 10uA. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 1100pF. Kostnad): 510pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 105 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 102A. ID (T=100°C): 19.1A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 120W. Resistans Rds På: 0.055 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: DMOS, QFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V

P-kanal transistor, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (max): 10uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO220. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 510pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 270 ns. Typ av transistor: MOSFET. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 10.8A. ID (T=100°C): 1.71A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 85W. Resistans Rds På: 3.9 Ohms. RoHS: ja. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 12 ns. Td(på): 35 ns. Teknik: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

P-kanal transistor, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (max): 10uA. Hölje: TO-251 ( I-Pak ). Hölje (enligt datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spänning Vds(max): 60V. C(tum): 420pF. Kostnad): 195pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 83 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 38W. Resistans Rds På: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 45 ns. Td(på): 6.5 ns. Teknik: DMOS POWER-MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

P-kanal transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Hölje: TO-264 ( TOP-3L ). Hölje (enligt datablad): TO-264 ( 2-21F1C ). Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. C(tum): 1450pF. Kostnad): 450pF. CE-diod: NINCS. Kanaltyp: P. Funktion: P-kanal MOS IGBT transistor. Germanium diod: NINCS. Kollektorström: 20A. Ic(puls): 60A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: ljudförstärkare. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.7V. Grind/sändarspänning VGE: 20V

P-kanal transistor, 74A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 74A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 3400pF. Kostnad): 1400pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 89 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 260A. ID (T=100°C): 52A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 61 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

P-kanal transistor, PCB-lödning, TO-220AB, -55V, -74A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: IRF4905. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 18 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 61 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 55V. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F4905S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 61 ns. Td(på): 18 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F4905S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 51 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maximal förlust Ptot [W]: 150W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2700pF. Kostnad): 790pF. Kanaltyp: P. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 29A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 79 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

P-kanal transistor, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2860pF. Kostnad): 800pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 24A. IDss (min): 50uA. Märkning på höljet: F5210S. Pd (effektförlust, max): 3.8W. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 72 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -40A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F5210S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 17 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 79 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2700pF. Maximal förlust Ptot [W]: 200W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 55V. C(tum): 1200pF. Kostnad): 520pF. Kanaltyp: P. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 71 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F5305S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 110W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: D²-PAK. Kapsling (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spänning Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: F5305S. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Gate haverispänning Ugs [V]: -4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 39 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1200pF. Maximal förlust Ptot [W]: 110W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +175°C

P-kanal transistor, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 250uA. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 150V. C(tum): 860pF. Kostnad): 220pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: ja. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 160 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 9A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 53 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

P-kanal transistor, SO, SO-8. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Antal per fodral: 2. Funktion: 2xP-CH 20V. Antal terminaler: 8. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: HEXFET Power MOSFET

P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Drain-source spänning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: F7204. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 30 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 150 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 860pF. Maximal förlust Ptot [W]: 2.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

P-kanal transistor, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (max): 5uA. Hölje: SO. Hölje (enligt datablad): SO-8. Spänning Vds(max): 30 v. C(tum): 870pF. Kostnad): 720pF. Kanaltyp: P. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3.7A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8. Pd (effektförlust, max): 2.5W. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 97 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V