Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

P-kanal transistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210

P-kanal transistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 30.80kr 38.50kr
5 - 9 29.26kr 36.58kr
10 - 24 28.34kr 35.43kr
25 - 49 27.72kr 34.65kr
50 - 99 27.10kr 33.88kr
100 - 110 24.62kr 30.78kr
Kvantitet U.P
1 - 4 30.80kr 38.50kr
5 - 9 29.26kr 36.58kr
10 - 24 28.34kr 35.43kr
25 - 49 27.72kr 34.65kr
50 - 99 27.10kr 33.88kr
100 - 110 24.62kr 30.78kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 110
Set med 1

P-kanal transistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210. P-kanal transistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2700pF. Kostnad): 790pF. Kanaltyp: P. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 29A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 79 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 06:25.

Vi rekommenderar även :

Vi rekommenderar även :

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.