Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 30.80kr | 38.50kr |
5 - 9 | 29.26kr | 36.58kr |
10 - 24 | 28.34kr | 35.43kr |
25 - 49 | 27.72kr | 34.65kr |
50 - 99 | 27.10kr | 33.88kr |
100 - 110 | 24.62kr | 30.78kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 30.80kr | 38.50kr |
5 - 9 | 29.26kr | 36.58kr |
10 - 24 | 28.34kr | 35.43kr |
25 - 49 | 27.72kr | 34.65kr |
50 - 99 | 27.10kr | 33.88kr |
100 - 110 | 24.62kr | 30.78kr |
P-kanal transistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF5210. P-kanal transistor, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. C(tum): 2700pF. Kostnad): 790pF. Kanaltyp: P. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Avloppsskydd: Zenerdiod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 170 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 29A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 200W. Resistans Rds På: 0.06 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 79 ns. Td(på): 17 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren Infineon (irf). Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 06:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.