Fairchild HGTG40N60B3 N-IGBT Transistor 600V 40A TO-247

Teknisk beskrivning av produkten (HGTG40N60B3):

Germaniumdiod: nej. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Kapsling: TO-247. CE-diod: nej. Antal anslutningar: 3. Montering/installation: genomhålsmontage för kretskort. Kanaltyp: N-P. Kapsling (enligt datablad): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Funktion: Ic 70A vid 25°C, 40A vid 110°C, Icm 330A (pulserad). Td(off): 170 ns. Kollektor-emitterspänning Vceo: 600V. Td(on): 47 ns. Kollektor-emittermättnadsspänning VCE(sat): 1.4V. Gate-emitterspänning VGE: 20V. Maximal effektförlust: 290W. Gate-emittertröskelspänning VGE(th) min.: 3V. Gate-emittertröskelspänning VGE(th) max.: 6V.