Fairchild FQA19N60 N-Kanal MOSFET 600V 18.5A 0.3 Ohm TO-3PN QFET DMOS

Teknisk beskrivning av produkten (FQA19N60):

Spänning Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. Id (T=25°C): 18.5A. Id (T=100°C): 11.7A. Genomgångsresistans Rds On: 0.3 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-3PN. Kapsling: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal anslutningar: 3. Montering/installation: genomhålsmontage för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Snabb omkoppling, låg gate-laddning (typiskt 44nC). Teknologi: DMOS, QFET. G-S skydd: nej. Td(off): 150 ns. Idss (min): 10uA. Td(on): 65 ns. Antal per kapsling: 1. Id(imp): 74A. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Trr Diod (Min.): 420 ns. Maximal effektförlust: 300W. Drain-source skydd: diod. Gate/Source spänning Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 5V.