Transistorer

C(tum): 20pF. Kostnad): 9pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 11 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: screentryck/SMD-kod SA. Id(imp): 680mA. ID (T=25°C): 170mA. Idss (max): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: SA. Ekvivalenta: BSS123-7-F. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 225mW. Resistans Rds På: 6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: Fälteffekt Transistor Logic Level Enhancement Mode. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Grind/källa spänning (av) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SA. Drain-source spänning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 20pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SHS. Drain-source spänning Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.7V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 9.2 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 28pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SRs. Drain-source spänning Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.8V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 77pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 27pF. Kostnad): 13pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.88A. ID (T=25°C): 0.22A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. obs: screentryck/SMD-kod SS. Märkning på höljet: SS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.36W. Resistans Rds På: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 2.5 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 50V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: Logic Level Enhancement Mode. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 50pF. Kostnad): 25pF. Kanaltyp: N. Konditioneringsenhet: 3000. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.2A. IDss (min): 0.5uA. obs: screentryck/SMD-kod SS. Märkning på höljet: SS. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.3W. Resistans Rds På: 1.4 Ohms. RoHS: ja. Vikt: 0.008g. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 20 ns. Td(på): 20 ns. Teknik: Fälteffekttransistor. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 50V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Spec info: Logic Level Enhancement Mode. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: SS. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 36ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 27pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: J1. Drain-source spänning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 20 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 50pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: STs. Drain-source spänning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 8.7 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 76pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Drain-source spänning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Gate haverispänning Ugs [V]: 1.6V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 14 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 31 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 75pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

C(tum): 25pF. Kostnad): 15pF. Kanaltyp: P. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. ID (T=100°C): 75mA. ID (T=25°C): 130mA. Idss (max): 46.4k Ohms. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: 11W. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.25W. Resistans Rds På: 6 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 7 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Enhancement mode vertikal D-MOS transistor . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 50V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: screentryck/SMD-kod 11W. G-S Skydd: NINCS

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: 13. Drain-source spänning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 7 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 45pF. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

Kanaltyp: N-P. Märkning på höljet: KNP. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Teknik: Komplementärt parförbättringsläge MOSFET. Hölje: SOT-363 ( SC-88 ). Hölje (enligt datablad): SOT-363. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 6. obs: screentryck/SMD-kod KNP. Funktion: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: VS. Drain-source spänning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2.1V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 13 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 48 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 0.35W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 36pF

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-23. Kapsling (JEDEC-standard): TO-236AB. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: Pd (effektförlust, max). Drain-source spänning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Gate haverispänning Ugs [V]: -2V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 3.6 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 12 ns. Maximal förlust Ptot [W]: 0.225W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 36pF

C(tum): 80pF. Kostnad): 15pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.25A. Idss (max): 1000uA. IDss (min): 100uA. Märkning på höljet: SS88. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 1W. Resistans Rds På: 5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 30 ns. Td(på): 5 ns. Teknik: "Förbättringsläge". Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 240V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.6V. Avloppsskydd: NINCS. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 25pF. Kostnad): 8.5pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Resistans Rds På: 5 Ohms. Td(av): 12 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): SOT54. Spänning Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Very fast switching, Logic level compatible. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS

C(tum): 25pF. Kostnad): 8.5pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Mycket snabb växling. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Resistans Rds På: 5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 12 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Logiknivåkompatibel. G-S Skydd: NINCS

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 400 MHz. Funktion: allmänt syfte. Max hFE-förstärkning: 120. Minsta hFE-förstärkning: 25. Kollektorström: 250mA. Märkning på höljet: B2. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.225mW. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.3V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 12V. Spec info: screentryck/SMD-kod B2

Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Kollektorström: 1A. Pd (effektförlust, max): 5W. Typ av transistor: NPN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. Spec info: TO39

Typ av transistor: MOSFET krafttransistor. Kanaltyp: N. Max dräneringsström: 7A. Effekt: 50W. Resistans Rds På: 0.10 Ohms. Hölje: TO-220. Drain-source spänning (Vds): 60V

RoHS: NINCS. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BTS132. Drain-source spänning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.5V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 40 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 250 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maximal förlust Ptot [W]: 75W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Drain-source spänning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 38us. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45us. Maximal förlust Ptot [W]: 0.78W. Komponentfamilj: low-side MOSFET. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Drain-source spänning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Inkopplingstid ton [nsec.]: 38us. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 45us. Maximal förlust Ptot [W]: 0.78W. Komponentfamilj: low-side MOSFET. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: TO-263/5. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 5. Tillverkarens märkning: BTS410E2. Drain-source spänning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Gate haverispänning Ugs [V]: 2.4V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 125us. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 85us. Maximal förlust Ptot [W]: 50W. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C