BST82

BST82. C(tum): 25pF. Kostnad): 8.5pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 30 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Mycket snabb växling. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Resistans Rds På: 5 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 12 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: Fälteffekttransistor i förbättringsläge . Hölje: SOT-23 ( TO-236 ). Hölje (enligt datablad): SOT-23 ( TO236 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Spänning Vds(max): 100V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Logiknivåkompatibel. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 17/01/2025, 07:25.