Toshiba 2SK3936 N-Kanal Power MOSFET 500V 23A TO-3PN

Teknisk beskrivning av produkten (2SK3936):

Toshiba 2SK3936 N-kanal Power MOSFET. Maximal Drain-Source-spänning Vds(max): 500V. Maximal Drain-Source-läckström Idss: 500uA. Drainström Id (T=25°C): 23A. On-resistans Rds On: 0.20 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-3P. Kapsling: TO-3PN (2-16C1B). RoHS-kompatibel: ja. Antal anslutningar: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Switchregulator. Teknologi: Fälteffekt MOS-typ (MACH-II-MOS VI). Gate-Source-skydd: ja. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 80 ns. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 45 ns. Antal per kapsling: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 92A. Minsta Gate-Source-tröskelspänning Vgs(th): 2V. Ingångskapacitans C(in): 4250pF. Utgångskapacitans C(out): 420pF. Minsta diodens återhämtningstid Trr: 380 ns. Maximal effektförlust: 150W. Drain-Source-skydd: Diod. Gate-Source-spänning Vgs: 30V. Maximal Gate-Emitter-spänning VGE(th): 4V. Temperatur: +150°C.