Toshiba 2SK3878 N-Kanal MOSFET 900V 9A TO-3P

Teknisk beskrivning av produkten (2SK3878):

Spänning Vds(max): 900V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 9A. ID (T=100°C): 5.3A. On-resistans Rds On: 1 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-3P. Kapsling: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spec. info: Vth=2.0 till 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Applikationer för omkopplingsregulatorer. G-S Skydd: ja. Td(off): 120ns. IDss (min): 1uA. Td(on): 65 ns. Antal per kapsling: 1. Id(imp): 27A. Märkning på kapslingen: K3878. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 2200pF. C(out): 45pF. Trr Diod (Min.): 1.4us. Pd (Effektförlust, max): 150W. Konditionering: plaströr. Drain-source skydd: diod. Gate/source spänning Vgs: 30 V. Vgs(th) max.: 4 V. Konditioneringsenhet: 25