Toshiba 2SK363 N-Kanal MOSFET 3.7 Ohm TO-92

Teknisk beskrivning av produkten (2SK363):

Toshiba 2SK363 N-kanal MOSFET. Drain-Source-läckström Idss: 100uA. On-resistans Rds On: 3.7 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-92. Kapsling: TO-92. RoHS-kompatibel: ja. Antal anslutningar: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Teknologi: Fälteffekt (TT-MOSIV). Gate-Source-skydd: ja. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 125 ns. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 60 ns. Antal per kapsling: 1. Ingångskapacitans C(in): 700pF. Utgångskapacitans C(out): 75pF. Minsta diodens återhämtningstid Trr: 850 ns. Drain-Source-skydd: Diod.