Toshiba 2SK3568 N-Kanal Power MOSFET 500V 12A TO-220F

Teknisk beskrivning av produkten (2SK3568):

Toshiba 2SK3568 N-kanal Power MOSFET. Maximal Drain-Source-spänning Vds(max): 500V. Maximal Drain-Source-läckström Idss: 100uA. Drainström Id (T=25°C): 12A. Drainström Id (T=100°C): 12A. On-resistans Rds On: 0.4 Ohm. Kapsling (enligt datablad): TO-220F. Kapsling: TO-220FP. RoHS-kompatibel: ja. Antal anslutningar: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Switchad strömförsörjning (SMPS). Teknologi: Fälteffekt (TT-MOSVI). Maximal temperatur: +150°C. Gate-Source-skydd: ja. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 170 ns. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 50 ns. Antal per kapsling: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 48A. Kapslingsmärkning: K3568. Minsta Gate-Source-tröskelspänning Vgs(th): 2V. Ingångskapacitans C(in): 1500pF. Utgångskapacitans C(out): 180pF. Minsta diodens återhämtningstid Trr: 1200 ns. Maximal effektförlust: 40W. Drain-Source-skydd: Diod. Gate-Source-spänning Vgs: 30V. Temperatur: +150°C.