Toshiba 2SK2662 N-Kanal MOSFET, 500V, 5A, 1.35 Ohm, TO-220FP Kapsel

Teknisk beskrivning av produkten (2SK2662):

Drain-Source Spänning Vds(max): 500V. Drain-Source Läckström Idss(max): 100uA. Kontinuerlig Drainström Id (T=25°C): 5A. Tillståndsmotstånd Rds(On): 1.35 Ohm. Kapsel (enligt datablad): TO-220FP. Kapsel: TO-220FP. RoHS-kompatibel: Ja. Antal anslutningar: 3. Monteringstyp: Genomgående hål. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Höghastighetsomkoppling, Zener-skyddad. Teknologi: Fälteffekttransistor (TT-MOS V). Gate-Source Skydd: Ja. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 60 ns. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 25 ns. Antal per kapsel: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 20A. Kapselmärkning: K2662. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) min.: 2V. Ingångskapacitans C(in): 780pF. Utgångskapacitans C(out): 200pF. Diodens omvända återhämtningstid Trr (Min.): 1400 ns. Maximal effektförlust: 35W. Drain-Source Skydd: Diod. Gate-Source Spänning Vgs: 30V. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) max.: 4V. Temperatur: +150°C.