STMicroelectronics STP4NB80 N-Kanal PowerMESH MOSFET, 800V, 4A

Teknisk beskrivning av produkten (STP4NB80):

Drain-Source Spänning Vds(max): 800V. Drain-Source Läckström Idss (max): 50uA. Drainström Id (T=25°C): 4A. Drainström Id (T=100°C): 2A. On-resistans Rds On: 3 Ohms. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hög ström, höghastighetsomkoppling. Teknologi: PowerMESH MOSFET. Gate-Source-skydd: nej. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 12 ns. Drain-Source Läckström Idss (min): 1uA. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 14 ns. Antal per kapsling: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 16A. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) min.: 3V. Ingångskapacitans C (in): 700pF. Utgångskapacitans C (out): 95pF. Diodens omvända återhämtningstid Trr (Min.): 600 ns. Max. Effektförlust: 100W. Drain-Source-skydd: ja. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) max.: 5V