STMicroelectronics STP200N4F3 N-Kanal STripFET™ Effekt-MOSFET, 40V, 60.4k Ohms, TO-220

Teknisk beskrivning av produkten (STP200N4F3):

Drain-Source Spänning Vds(max): 40V. Drain-Source Läckström Idss (max): 100uA. Drainström Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Drainström Id (T=100°C): 60.4k Ohms. On-resistans Rds On: 3M Ohms. Kapsling (enligt datablad): TO-220. Kapsling: TO-220. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+175°C. Antal anslutningar: 3. Montering/Installation: Genomgående montering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Omkoppling, fordonsapplikationer. Teknologi: STripFET™ Power MOSFET. Gate-Source-skydd: nej. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 90 ns. Drain-Source Läckström Idss (min): 10uA. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 19 ns. Antal per kapsling: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 480A. Märkning på kapsling: 200N4F3. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) min.: 2V. Ingångskapacitans C (in): 5100pF. Utgångskapacitans C (out): 1270pF. Diodens omvända återhämtningstid Trr (Min.): 67 ns. Max. Effektförlust: 300W. Drain-Source-skydd: Zenerdiod. Gate-Source-spänning Vgs: 20V. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) max.: 4V