STMicroelectronics STP14NF12 N-Kanal STripFET II Effekt-MOSFET, 120V, 14A, TO-220

Teknisk beskrivning av produkten (STP14NF12):

Drain-Source Spänning Vds(max): 120V. Drain-Source Läckström Idss (max): 10uA. Drainström Id (T=25°C): 14A. Drainström Id (T=100°C): 9A. On-resistans Rds On: 0.16 Ohms. Kapsling (enligt datablad): TO-220. Kapsling: TO-220. Montering/Installation: Genomgående montering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Låg ingångsladdning. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Gate-Source-skydd: nej. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 32 ns. Drain-Source Läckström Idss (min): 1uA. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 16 ns. Antal per kapsling: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 56A. Märkning på kapsling: P14NF12. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) min.: 2V. Ingångskapacitans C (in): 460pF. Utgångskapacitans C (out): 70pF. Max. Effektförlust: 60W. Drain-Source-skydd: ja. Gate-Source-spänning Vgs: 20V. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) max.: 4V