STMicroelectronics STB12NM50N N-Kanal MDmesh Effekt-MOSFET, 550V, 11A, D2PAK (TO-263)

Teknisk beskrivning av produkten (STB12NM50N):

Drain-Source Spänning Vds(max): 550V. Drain-Source Läckström Idss (max): 100uA. Drainström Id (T=25°C): 11A. Drainström Id (T=100°C): 6.8A. On-resistans Rds On: 0.29 Ohms. Kapsling (enligt datablad): D2PAK (TO-263). Kapsling: D2PAK (TO-263). RoHS: ja. Antal anslutningar: 2. Montering/Installation: Ytmonterad komponent (SMD). Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hög dv/dt, låg gate-kapacitans. Teknologi: MDmesh Power MOSFET. Gate-Source-skydd: nej. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 60 ns. Drain-Source Läckström Idss (min): 1uA. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 15 ns. Antal per kapsling: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 44A. Märkning på kapsling: B12NM50N. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) min.: 2V. Ingångskapacitans C (in): 940pF. Utgångskapacitans C (out): 100pF. Diodens omvända återhämtningstid Trr (Min.): 340 ns. Max. Effektförlust: 100W. Drain-Source-skydd: ja. Gate-Source-spänning Vgs: 25V. Temperatur: +150°C