NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): SOT-32. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 130. Minsta hFE-förstärkning: 20. Ic(puls): 7A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 36W. Spec info: komplementär transistor (par) BD440. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 60V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V

NPN-transistor, 4A, 80V, TO-126. Kollektorström: 4A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Hölje: TO-126. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 36W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V, 80V, 4A, TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 4A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126. Tillverkarens märkning: BD441G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 36W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: NPN. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 36W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 12 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 50W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.8V. Vebo: 1.5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 8A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD649. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 120V. Maximal förlust Ptot [W]: 62.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: NINCS. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 12A. Pd (effektförlust, max): 62.5W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 140V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, 45V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 75W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD677. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD677A. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD677AG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD679. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. BE-motstånd: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD680A. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 80V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.8V

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 100V, TO-126. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Hölje: TO-126. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Max hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 6A. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) BD682. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Effekt: 40W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 4A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD681G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, 80V. Kollektorström: 4A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 15W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD809G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 90W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Power Linear och Switching. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 90W. Spec info: komplementär transistor (par) BD912. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Motstånd B: NPN Power Transistor. BE-motstånd: 100V. C(tum): 15A. Kostnad): 90W

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD912. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning (SMD), SOT-223, 3A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SOT-223. Samlarström Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-264. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDP949. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 60V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 120V. BE-diod: ja. CE-diod: ja. Darlington-transistor?: 1. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BDT64C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-247, 10A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-247. Samlarström Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDV65BG. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220, 15A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW42G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 85W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-lödning, SOT-93, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: SOT-93. Samlarström Ic [A], max.: 15A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): SOT-93. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-93. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW83C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 125W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 750. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BDW84C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V