NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3PN. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 750. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 150W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BDW84C

NPN-transistor, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 12A. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Tillverkarens märkning: BDW93C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 20 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 80W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 3V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Effekt: 80W. Antal terminaler: 3. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: 20000. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 33W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Antal per fodral: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: komplementär transistor (par) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-transistor, 100V, 12A, TO-220FP. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 12A. Hölje: TO-220FP. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Effekt: 33W

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 12A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Komponentfamilj: Darlington NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BDW93C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 80W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Max hFE-förstärkning: 750. Minsta hFE-förstärkning: 100. Ic(puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 70W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Inbyggd diod: ja. Effekt: 70W. Antal terminaler: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: komplementär transistor (par) BDX34C

NPN-transistor, 80V, 8A, TO-220-F. Collector-Emitter Voltage VCEO: 80V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220-F. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Effekt: 20W

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorström: 8A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 20 MHz. Max hFE-förstärkning: +150°C. Minsta hFE-förstärkning: 750. Ic(puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 60W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Komplementära krafttransistorer från Darlington. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 5V. Typ av transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Typ: Darlington transistor. Effekt: 60W. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. obs: komplementär transistor (par) BDX54C. Funktion: ljudförstärkare. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Kollektorström: 15A. Hölje: TO-3 ( TO-204 ). Hölje (enligt datablad): TO3. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 350V. Halvledarmaterial: kisel. Funktion: switchade strömförsörjning. Pd (effektförlust, max): 95W. RoHS: NINCS. Td(av): 3.5us. Td(på): 0.5us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Antal per fodral: 1

NPN-transistor. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 25mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Maximal förlust Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorström: 100mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 25V. Kostnad): 3.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 1100 MHz. Funktion: TV-IF. Pd (effektförlust, max): 350mW. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: Planar epitaxial transistor . Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C till +150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Motstånd B: NPN-transistor. BE-motstånd: RF-POWER. C(tum): 25V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor. Funktion: TV-IF-reVHF. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 25mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): TO-226AA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BF240. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 40V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Komponentfamilj: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 30mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 20V. Maximal förlust Ptot [W]: 0.22W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorström: 0.1A. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Pd (effektförlust, max): 0.8W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-92, 25mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Samlarström Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Maximal förlust Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, 300V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Kostnad): 2pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 2V. Vebo: 6V. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorström: 500mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 800mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: NPN. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Spec info: komplementär transistor (par) BF421. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorström: 50mA. Hölje: TO-92. Hölje (enligt datablad): TO-92. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Kostnad): 1.6pF. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO förstärkare.. Minsta hFE-förstärkning: 50. Ic(puls): 100mA. Pd (effektförlust, max): 0.625W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Teknik: "Trippeldiffuserad plan transistor". Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.6V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementär transistor (par) BF423. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 160V. Kollektorström: 0.1A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 160V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorström: 100mA. Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kostnad): 5.5pF. Halvledarmaterial: kisel. FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 300mA. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 10W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 300V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, 250V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 250V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 0.5A, 300V. Kollektorström: 0.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 300V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (effektförlust, max): 10W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1

NPN-transistor, 0.05A, 400V. Kollektorström: 0.05A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 400V. Halvledarmaterial: kisel. FT: 70 MHz. Pd (effektförlust, max): 0.83W. Typ av transistor: NPN. Antal per fodral: 1. Spec info: TO-93