NPN bipolära transistorer

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorström: 1.5A. Hölje: TO-126F. Hölje (enligt datablad): TO-126 plastic. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 250. Minsta hFE-förstärkning: 40. Ic(puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD140-16. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO126, 375V. Kollektorström: 0.5A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 375V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. Pd (effektförlust, max): 20W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 60V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 20W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 3mA. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 3mA. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD179G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 0.03W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 1.5A, 100V. Kollektorström: 1.5A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 125 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 12.5W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-126, 2A, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-126. Samlarström Ic [A], max.: 2A. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): SOT-32. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD237. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. Spec info: komplementär transistor (par) BD238. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 80V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 25. Ic(puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD238. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-225, 2A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-225. Samlarström Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-225. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD237G. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 80V. Gränsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maximal förlust Ptot [W]: 25W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V, 100V. Kollektorström: 2A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. RoHS: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 40. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 4A. Pd (effektförlust, max): 30W. Spec info: komplementär transistor (par) BD240C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 30W

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V, 100V, 3A. Kollektorström: 5A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 3A. RoHS: ja. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. Spec info: komplementär transistor (par) BD242C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 40W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 10. Ic(puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD242C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, 100V, 6A, TO-220. Samlarström Ic [A], max.: 6A. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD243C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -65°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 65W

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD244C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V

NPN-transistor, PCB-lödning, TO-220AB, 6A. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-220AB. Samlarström Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja. Komponentfamilj: NPN Power Transistor. Kapsling (JEDEC-standard): TO-220AB. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Tillverkarens märkning: BD243C. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 100V. Maximal förlust Ptot [W]: 65W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Konditionering: plaströr. Konditioneringsenhet: 50. Darlington-transistor?: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: Kompletterande krafttransistor. Max hFE-förstärkning: 30. Minsta hFE-förstärkning: 15. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD244C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.5V

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 100V. Konditioneringsenhet: 50. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic(puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 65W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 65W. Maxfrekvens: 3MHz

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Kollektorström: 10A. Hölje: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hölje (enligt datablad): TO-3P. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) BD246C. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 10A, 115V. Kollektorström: 10A. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 80W. Spec info: komplementär transistor (par) BD246C. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218AB. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Max hFE-förstärkning: 25. Minsta hFE-förstärkning: 5. Ic(puls): 40A. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD250C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorström: 25A. Hölje: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hölje (enligt datablad): TO-218. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 115V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Pd (effektförlust, max): 125W. Spec info: komplementär transistor (par) BD250C. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Kollektorström: 3A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. BE-diod: NINCS. CE-diod: NINCS. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 130 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 15W. RoHS: ja. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, SOT-82, 100V. Kollektorström: 6A. Hölje: SOT-82. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. obs: >750. Pd (effektförlust, max): 60W. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 22V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 22V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 32V. Antal per fodral: 1. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (effektförlust, max): 36W. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V, 45V, TO-126. Kollektorström: 4A. Hölje: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hölje (enligt datablad): TO-126. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 45V. Collector-Emitter Voltage VCEO: 45V. Hölje: TO-126. Halvledarmaterial: kisel. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-förstärkning: 130. Minsta hFE-förstärkning: 30. Ic(puls): 7A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 36W. RoHS: ja. Spec info: komplementär transistor (par) BD438. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Typ av transistor: NPN. Vcbo: 45V. Mättnadsspänning VCE(lat): 0.2V. Vebo: 5V. Typ av transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 36W. Maxfrekvens: 3MHz