N-kanals transistor STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.019 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 3050pF. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 220A. Kanaltyp: N. Kostnad): 380pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P55NE06. Pd (effektförlust, max): 130W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(på): 30 ns. Teknik: effekt MOSFET transistor. Temperatur: +175°C. Trr-diod (Min.): 110 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24