N-kanals transistor STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V

N-kanals transistor STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
14.45kr
5-24
11.93kr
25-49
10.48kr
50-99
9.53kr
100+
8.12kr
+43 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Antal i lager: 123

N-kanals transistor STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V. Vdss (Drain to Source Voltage): 60V. ID (T=100°C): 35A. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.015 Ohms. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 1300pF. Drag: -. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grind/källa spänning Vgs max: -20V. IDss (min): 1uA. Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström): 50A. Id(imp): 200A. Information: -. Kanaltyp: N. Kostnad): 300pF. Körspänning: 10V. MSL: -. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Monteringstyp: THT. Märkning på höljet: P55NF06. Pd (effektförlust, max): 110W. Polaritet: MOSFET N. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Serie: -. Td(av): 36ns. Td(på): 20 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 75 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24

Teknisk dokumentation (PDF)
STP55NF06
37 parametrar
Vdss (Drain to Source Voltage)
60V
ID (T=100°C)
35A
Hölje
TO-220
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.015 Ohms
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
1300pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grind/källa spänning Vgs max
-20V
IDss (min)
1uA
Id @ Tc=25°C (kontinuerlig dräneringsström)
50A
Id(imp)
200A
Kanaltyp
N
Kostnad)
300pF
Körspänning
10V
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Monteringstyp
THT
Märkning på höljet
P55NF06
Pd (effektförlust, max)
110W
Polaritet
MOSFET N
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
36ns
Td(på)
20 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diod (Min.)
75 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics