N-kanals transistor STP65NF06, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

N-kanals transistor STP65NF06, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
20.63kr
5-24
17.05kr
25-49
14.39kr
50+
12.93kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 39

N-kanals transistor STP65NF06, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 10uA. Resistans Rds På: 0.0115 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 1700pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 240A. Kanaltyp: N. Kostnad): 400pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Märkning på höljet: P65NF06. Pd (effektförlust, max): 110W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 40 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diod (Min.): 70us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 31/10/2025, 08:58

Teknisk dokumentation (PDF)
STP65NF06
31 parametrar
ID (T=100°C)
42A
ID (T=25°C)
60A
Idss (max)
10uA
Resistans Rds På
0.0115 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
1700pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
240A
Kanaltyp
N
Kostnad)
400pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Märkning på höljet
P65NF06
Pd (effektförlust, max)
110W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
40 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diod (Min.)
70us
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för STP65NF06