N-kanals transistor STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
24.97kr
5-49
22.22kr
50-99
20.32kr
100+
18.83kr
| Föråldrad produkt, kommer snart att tas bort från katalogen | |
| Slut i lager |
N-kanals transistor STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 50uA. Resistans Rds På: 3 Ohms. Spänning Vds(max): 800V. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. C(tum): 700pF. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S Skydd: nej. IDss (min): 1uA. Id(imp): 16A. Kanaltyp: N. Kostnad): 95pF. Pd (effektförlust, max): 100W. Td(av): 12 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: PowerMESH MOSFET. Trr-diod (Min.): 600 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Originalprodukt från tillverkaren: Stmicroelectronics. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 15:24
STP4NB80
23 parametrar
ID (T=100°C)
2A
ID (T=25°C)
4A
Idss (max)
50uA
Resistans Rds På
3 Ohms
Spänning Vds(max)
800V
Antal per fodral
1
Avloppsskydd
ja
C(tum)
700pF
Funktion
HIGH Current, HIGH Speed Switching
G-S Skydd
nej
IDss (min)
1uA
Id(imp)
16A
Kanaltyp
N
Kostnad)
95pF
Pd (effektförlust, max)
100W
Td(av)
12 ns
Td(på)
14 ns
Teknik
PowerMESH MOSFET
Trr-diod (Min.)
600 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Originalprodukt från tillverkaren
Stmicroelectronics