Slut i lager
Magnachip Semiconductor
N-kanals transistor MBQ60T65PES, 650V, 60A, TO-247, TO-247
Produktreferens : MBQ60T65PES
Mängdrabatter — Spara när du köper
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 100.54 kr | — |
| 60+Bästa pris | 95.27 kr | -5% |
Teknisk beskrivning av produkten (MBQ60T65PES):
Kollektor-/emitterspänning Vceo: 650V. Ic(T=100°C): 60A. Hölje (enligt datablad): TO-247. Hölje: TO-247. Germanium diod: nej. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. CE-diod: ja. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Kanaltyp: N. Teknik: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Td(av): 142ns. Td(på): 45 ns. Mättnadsspänning VCE(lat): 1.85V. Ic(puls): 180A. Märkning på höljet: 60T65PES. Grind/sändarspänning VGE: 20V. Pd (effektförlust, max): 535W. Konditionering: plaströr. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.4V. Grind/sändarspänning VGE(th) min.: 4V. Grind/sändarspänning VGE(th)max.: 6V. Kollektorström: 100A. Konditioneringsenhet: 30