| Antal i lager: 112 |
N-kanals transistor BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V
Kvantitet
Enhetspris
1-4
17.56kr
5-49
14.51kr
50-99
12.48kr
100+
11.55kr
| Ekvivalens tillgänglig | |
| Antal i lager: 4 |
N-kanals transistor BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V. Hölje: TO-220AB. ID (T=100°C): 1.5A. Kapsling (JEDEC-standard): -. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Resistans Rds På: 3 Ohms. Drain-source spänning Uds [V]: 500V. Spänning Vds(max): 500V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 675pF. Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C: 2.4A. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.4A. Funktion: N MOSFET transistor. Gate haverispänning Ugs [V]: 4 v. Inkopplingstid ton [nsec.]: 12 ns. Kanaltyp: N. Komponentfamilj: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Max temperatur: +150°C.. Maximal förlust Ptot [W]: 40W. Pd (effektförlust, max): 40W. RoHS: nej. Teknik: V-MOS. Tillverkarens märkning: BUZ74. Typ av transistor: MOSFET. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 08:57
BUZ74
27 parametrar
Hölje
TO-220AB
ID (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2.4A
Idss (max)
2.4A
Resistans Rds På
3 Ohms
Drain-source spänning Uds [V]
500V
Spänning Vds(max)
500V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avstängningsfördröjning tf[nsec.]
65 ns
Ciss Gate Kapacitans [pF]
675pF
Dränera ström -ID (a) @ 25 ° C
2.4A
Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]
3 Ohms @ 2.4A
Funktion
N MOSFET transistor
Gate haverispänning Ugs [V]
4 v
Inkopplingstid ton [nsec.]
12 ns
Kanaltyp
N
Komponentfamilj
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
Genomgående hålmontering på kretskort
Max temperatur
+150°C.
Maximal förlust Ptot [W]
40W
Pd (effektförlust, max)
40W
RoHS
nej
Teknik
V-MOS
Tillverkarens märkning
BUZ74
Typ av transistor
MOSFET
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies