Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 102.66kr | 128.33kr |
2 - 2 | 97.53kr | 121.91kr |
3 - 4 | 95.48kr | 119.35kr |
5 - 9 | 92.40kr | 115.50kr |
10 - 19 | 90.34kr | 112.93kr |
20 - 29 | 87.26kr | 109.08kr |
30+ | 84.18kr | 105.23kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 102.66kr | 128.33kr |
2 - 2 | 97.53kr | 121.91kr |
3 - 4 | 95.48kr | 119.35kr |
5 - 9 | 92.40kr | 115.50kr |
10 - 19 | 90.34kr | 112.93kr |
20 - 29 | 87.26kr | 109.08kr |
30+ | 84.18kr | 105.23kr |
N-kanals transistor, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640. N-kanals transistor, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.73 Ohms. Hölje: TO-220FP. Hölje (enligt datablad): TO-220F15. Spänning Vds(max): 500V. C(tum): 950pF. Kostnad): 180pF. Kanaltyp: N. Avloppsskydd: diod. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 450 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: Höghastighetsomkoppling. G-S Skydd: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 10uA. Märkning på höljet: K2640. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 50W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 70 ns. Td(på): 25 ns. Teknik: FAP-IIS Series MOS-FET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V. Originalprodukt från tillverkaren Fuji Electric. Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 02:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.