IXYS IXFH32N50 N-Kanal HiPerFET Effekt-MOSFET, 500V Drain-Source, 32A Drainström, TO-247AD Kapsling

Teknisk beskrivning av produkten (IXFH32N50):

Denna IXYS IXFH32N50 N-Kanal HiPerFET Effekt-MOSFET har en maximal drain-source-spänning (Vds) på 500V och en kontinuerlig drainström (ID) på 32A vid 25°C. Dess on-resistans (Rds On) är 0,15 Ohm. Komponentet är inrymt i en TO-247AD-kapsling, lämplig för genomhålsmontage på PCB. Den fungerar inom ett temperaturområde på -55°C till +150°C och är RoHS-kompatibel. Nyckelspecifikationer inkluderar en effektförlust (Pd) på 360W, en gate-source-spänning (Vgs) på 20V och en tillslagsfördröjningstid (Td(on)) på 35 ns. Den erbjuder drain-source-skydd.