Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 43.49kr | 54.36kr |
5 - 9 | 41.31kr | 51.64kr |
10 - 24 | 39.14kr | 48.93kr |
25 - 40 | 36.97kr | 46.21kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 43.49kr | 54.36kr |
5 - 9 | 41.31kr | 51.64kr |
10 - 24 | 39.14kr | 48.93kr |
25 - 40 | 36.97kr | 46.21kr |
IXTP90N055T2. C(tum): 2770pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 2uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchT2TM Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.