Elektroniska komponenter och utrustning, för företag och privatpersoner

IXTP90N055T

IXTP90N055T
Kvantitet exkl. moms moms incl.
1 - 4 44.81kr 56.01kr
5 - 9 42.57kr 53.21kr
10 - 24 40.33kr 50.41kr
25 - 40 38.09kr 47.61kr
Kvantitet U.P
1 - 4 44.81kr 56.01kr
5 - 9 42.57kr 53.21kr
10 - 24 40.33kr 50.41kr
25 - 40 38.09kr 47.61kr
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Antal i lager : 40
Set med 1

IXTP90N055T. C(tum): 2500pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 176W. Resistans Rds På: 0.066 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchMVTM Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 40
IXTP90N055T2

IXTP90N055T2

C(tum): 2770pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av tr...
IXTP90N055T2
C(tum): 2770pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 2uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchT2TM Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
IXTP90N055T2
C(tum): 2770pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. IDss (min): 2uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 150W. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 39 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchT2TM Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS
Set med 1
54.36kr moms incl.
(43.49kr exkl. moms)
54.36kr

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Prenumerera på nyhetsbrevet

Jag samtycker till att ta emot e-postmeddelanden och jag förstår att jag kan avsluta prenumerationen när som helst efter registrering.

Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.