Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 44.81kr | 56.01kr |
5 - 9 | 42.57kr | 53.21kr |
10 - 24 | 40.33kr | 50.41kr |
25 - 40 | 38.09kr | 47.61kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 44.81kr | 56.01kr |
5 - 9 | 42.57kr | 53.21kr |
10 - 24 | 40.33kr | 50.41kr |
25 - 40 | 38.09kr | 47.61kr |
IXTP90N055T. C(tum): 2500pF. Kostnad): 440pF. Kanaltyp: N. Antal per fodral: 1. Trr-diod (Min.): 70 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Ic(T=100°C): 75A. Id(imp): 240A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (effektförlust, max): 176W. Resistans Rds På: 0.066 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 40 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchMVTM Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spänning Vds(max): 55V. Port-/källspänning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 15/01/2025, 19:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.