N-kanals transistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V

N-kanals transistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
46.19kr
5-24
40.26kr
25-49
35.23kr
50-99
31.10kr
100+
25.62kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 40

N-kanals transistor IXTP90N055T2, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. Idss (max): 200uA. Resistans Rds På: 0.07 Ohms. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 55V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: ja. C(tum): 2770pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. G-S Skydd: nej. IDss (min): 2uA. Id(imp): 240A. Kanaltyp: N. Kostnad): 420pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 150W. Port-/källspänning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 19 ns. Teknik: TrenchT2TM Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 37 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: IXYS. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 21:11

Teknisk dokumentation (PDF)
IXTP90N055T2
30 parametrar
Ic(T=100°C)
75A
ID (T=25°C)
90A
Idss (max)
200uA
Resistans Rds På
0.07 Ohms
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220
Spänning Vds(max)
55V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
ja
C(tum)
2770pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
N-Channel Enhancement Mode
G-S Skydd
nej
IDss (min)
2uA
Id(imp)
240A
Kanaltyp
N
Kostnad)
420pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
150W
Port-/källspänning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(av)
39 ns
Td(på)
19 ns
Teknik
TrenchT2TM Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
37 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
IXYS

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IXTP90N055T2