Infineon SPP11N60C3 N-Kanal CoolMOS Effekt-MOSFET, 650V, 11A, TO-220

Teknisk beskrivning av produkten (SPP11N60C3):

Drain-Source Spänning Vds(max): 650V. Drain-Source Läckström Idss (max): 100uA. Drainström Id (T=25°C): 11A. Drainström Id (T=100°C): 7A. On-resistans Rds On: 0.34 Ohms. Kapsling (enligt datablad): TO-220. Kapsling: TO-220. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal anslutningar: 3. Montering/Installation: Genomgående montering för kretskort. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Extrem dv/dt-klassificering, hög toppströmskapacitet. Teknologi: Cool Mos POWER Transistor. Gate-Source-skydd: nej. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 44 ns. Drain-Source Läckström Idss (min): 0.1uA. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 10 ns. Antal per kapsling: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 33A. Märkning på kapsling: 11N60C3. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) min.: 2.1V. Ingångskapacitans C (in): 1200pF. Utgångskapacitans C (out): 390pF. Diodens omvända återhämtningstid Trr (Min.): 400 ns. Max. Effektförlust: 125W. Drain-Source-skydd: Zenerdiod. Gate-Source-spänning Vgs: 20V. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) max.: 3.9V