Hitachi 2SK1170 N-Kanal MOSFET, 500V, 20A, 0.27 Ohm, TO-3P Kapsel

Teknisk beskrivning av produkten (2SK1170):

Drain-Source Spänning Vds(max): 500V. Drain-Source Läckström Idss(max): 250uA. Kontinuerlig Drainström Id (T=25°C): 20A. Tillståndsmotstånd Rds(On): 0.27 Ohm. Kapsel (enligt datablad): TO-3P. Kapsel: TO-3P (TO-218 SOT-93). Driftstemperatur: -55...+150°C. Specialfunktioner: High speed switching, low drive current. Antal anslutningar: 3. Monteringstyp: Genomgående hål. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET. Teknologi: V-MOS. Gate-Source Skydd: Ja. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 200 ns. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 32 ns. Antal per kapsel: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 80A. Ingångskapacitans C(in): 2800pF. Utgångskapacitans C(out): 780pF. Diodens omvända återhämtningstid Trr (Min.): 500 ns. Maximal effektförlust: 120W. Drain-Source Skydd: Diod. Gate-Source Spänning Vgs: 30V.