Fuji Electric 2SK3530-01MR N-Kanal Power MOSFET, 800V, 7A, 1.46 Ohm, TO-220F Kapsel

Teknisk beskrivning av produkten (2SK3530-01MR):

Drain-Source Spänning Vds(max): 800V. Drain-Source Läckström Idss(max): 250uA. Kontinuerlig Drainström Id (T=25°C): 7A. Kontinuerlig Drainström Id (T=100°C): 7A. Tillståndsmotstånd Rds(On): 1.46 Ohm. Kapsel (enligt datablad): TO-220F. Kapsel: TO-220FP. RoHS-kompatibel: Ja. Antal anslutningar: 3. Monteringstyp: Genomgående hål. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Switchad Strömförsörjning (SMPS). Teknologi: Super FAP-G Serie POWER MOSFET. Gate-Source Skydd: Nej. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 40 ns. Drain-Source Läckström Idss(min): 25uA. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 21 ns. Antal per kapsel: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 28A. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) min.: 3V. Ingångskapacitans C(in): 740pF. Utgångskapacitans C(out): 105pF. Diodens omvända återhämtningstid Trr (Min.): 2.3 ns. Maximal effektförlust: 70W. Drain-Source Skydd: Ja. Gate-Source Spänning Vgs: 30V. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) max.: 5V.