Fuji Electric 2SK2647 N-Kanal MOSFET, 800V, 4A, 3.19 Ohm, TO-220F15 Kapsel

Teknisk beskrivning av produkten (2SK2647):

Drain-Source Spänning Vds(max): 800V. Drain-Source Läckström Idss(max): 200uA. Kontinuerlig Drainström Id (T=25°C): 4A. Kontinuerlig Drainström Id (T=100°C): 4A. Tillståndsmotstånd Rds(On): 3.19 Ohm. Kapsel (enligt datablad): TO-220F15. Kapsel: TO-220. Antal anslutningar: 3. Monteringstyp: Genomgående hål. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Höghastighetsomkoppling. Teknologi: FAP-IIS Serie MOS-FET. Gate-Source Skydd: Nej. Avstängningsfördröjningstid Td(off): 50 ns. Drain-Source Läckström Idss(min): 10uA. Påslagningsfördröjningstid Td(on): 20 ns. Antal per kapsel: 1. Pulsad Drainström Id(imp): 16A. Kapselmärkning: K2647. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) min.: 3.5V. Ingångskapacitans C(in): 450pF. Utgångskapacitans C(out): 75pF. Diodens omvända återhämtningstid Trr (Min.): 450 ns. Maximal effektförlust: 40W. Drain-Source Skydd: Diod. Gate-Source Spänning Vgs: 30V. Gate-Source Tröskelspänning Vgs(th) max.: 4.5V. Temperatur: +150°C.