Fototransistorer och fotodioder (mottagning)

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 50V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±55°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 9us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 9us. Ytterdiameter [mm]: 4.3mm. Yttre längd [mm]: 5.5mm. Ytterbredd [mm]: 5.5mm. Yttre tjocklek [mm]: 3.6mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +80°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 4.65x4.3mm. Kapsling (JEDEC-standard): 5.08mm. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 925nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 60V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 30nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 100 ns. Yttre längd [mm]: 4.65mm. Ytterbredd [mm]: 4.3mm. Yttre tjocklek [mm]: 2mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 5mm (T-1 3/4). Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 940nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 60V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 5nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±20°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 2.5 ns. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 2.5 ns. Ytterdiameter [mm]: 5mm. Yttre längd [mm]: 8.6mm. Ytterbredd [mm]: 5.75mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.75mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

Våglängd (dominant): 850nm. RoHS: ja. Färg: infraröd. obs: 850nm 15°. obs: LED 5mm. obs: infraröd fototransistor. obs: 850nm, 1nA, 70V, 50mA, 150mW

RoHS: ja. Kapsling (JEDEC-standard): 930nm 15°. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 5mm (T-1 3/4). Dominant våglängd [nm]: 930nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±15°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 6us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 5us. Ytterdiameter [mm]: 5mm. Yttre längd [mm]: 8.6mm. Ytterbredd [mm]: 5.75mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.75mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 1.8mm (T-3/4). Kapsling (JEDEC-standard): 50mA. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Dominant våglängd [nm]: 825nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 32V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±12°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 4.8us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 5us. Ytterdiameter [mm]: 1.8mm. Yttre längd [mm]: 3.3mm. Antal terminaler: 2. Ytterbredd [mm]: 2.4mm. Yttre tjocklek [mm]: 3.4mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: PN fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-5. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 565nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 10V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 30nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±50°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 3.1us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 3.0us. Ytterdiameter [mm]: 8.13mm. Yttre längd [mm]: 9.1mm. Ytterbredd [mm]: 9.1mm. Yttre tjocklek [mm]: 3.1mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 4.65x4.3mm. Kapsling (JEDEC-standard): ja. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 900nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 60V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 30nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 100 ns. Yttre längd [mm]: 4.65mm. Ytterbredd [mm]: 4.3mm. Yttre tjocklek [mm]: 2mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 4.65x4.3mm. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 900nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 60V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 30nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 100 ns. Yttre längd [mm]: 4.65mm. Ytterbredd [mm]: 4.3mm. Yttre tjocklek [mm]: 2mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-92. Kapsling (JEDEC-standard): 215mW. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 950nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 60V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 30nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±65°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 100 ns. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 100 ns. Yttre längd [mm]: 5mm. Ytterbredd [mm]: 4mm. Yttre tjocklek [mm]: 6.8mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±10°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 6us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 5us. Ytterdiameter [mm]: 4.69mm. Yttre längd [mm]: 6.15mm. Ytterbredd [mm]: 5.5mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.5mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 5mm (T-1 3/4). Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 70V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±20°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 2us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 2.3us. Ytterdiameter [mm]: 5mm. Yttre längd [mm]: 8.6mm. Ytterbredd [mm]: 5.75mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.75mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

Betraktningsvinkel: 20°. Våglängd (dominant): 850nm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 70V. VECO: 5V. Antal terminaler: 2. obs: infraröd 850nm, 200, 180MHz. obs: VCEO 70V, VECO 5V, IC 50mA. obs: mottagarsidan

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Kapsling (JEDEC-standard): fototransistor. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Hölje: 2.4x2.4mm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 32V. Samlarström Ic [A], max.: 50mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±18°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 6us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 6us. Yttre längd [mm]: 2.4mm. Ytterbredd [mm]: 2.4mm. Yttre tjocklek [mm]: 3.6mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +80°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: TO-18. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 3. Dominant våglängd [nm]: 830nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 35V. Samlarström Ic [A], max.: 100mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±8°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 9us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 9us. Ytterdiameter [mm]: 4.8mm. Yttre längd [mm]: 5.4mm. Ytterbredd [mm]: 5.6mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.6mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +125°C

Komponentfamilj: infraröd fototransistor. Linstyp: transparent. Detekteringsvinkel: 30°

Betraktningsvinkel: 30°. Material: genomskinlig blå. Kanaltyp: N. Olika: infraröd fototransistor (mottagare). Funktion: NPN fototransistor. Våglängd (dominant): 940nm. Kollektorström: 3mA. Pd (effektförlust, max): 0.1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Färg: infraröd. Tf (typ): 15us. Hölje: LED 5mm. Hölje (enligt datablad): cylindrisk konvex T-1 3/4. Tr: 15 ns. Driftstemperatur: -40...+85°C. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. VECO: 5V. Antal terminaler: 2. Spec info: blå transparent lins

Våglängd (dominant): 940nm. Kollektorström: 3mA. Pd (effektförlust, max): 0.1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Färg: infraröd. Tf (typ): 15us. Hölje: LED 5mm. Hölje (enligt datablad): cylindrisk konvex T-1 3/4. Tr: 15us. Driftstemperatur: -40...+85°C. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. VECO: 5V. Komponentfamilj: infraröd fototransistor. Diameter: 5mm. Linstyp: transparent. Detekteringsvinkel: 30°. Antal terminaler: 2. Spec info: transparent lins

Pd (effektförlust, max): 0.1W. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Färg: infraröd. Tf (typ): 15us. Hölje: LED 3mm. Tr: 15us. Typ av transistor: NPN. Driftstemperatur: -40...+85°C. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 30 v. VECO: 5V. Komponentfamilj: infraröd fototransistor. Linstyp: genomskinlig blå. Detekteringsvinkel: 30°

Komponentfamilj: infraröd fototransistor. Linstyp: transparent. Detekteringsvinkel: 30°

Betraktningsvinkel: 24°. Funktion: Foto transistor. Våglängd (dominant): 900nm. Kollektorström: 15mA. Kollektor-/emitterspänning Vceo: 35V. Antal terminaler: 2

Betraktningsvinkel: 120°. Våglängd (dominant): 950nm. Pd (effektförlust, max): 150mW. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Tf (typ): 20 ns. Hölje: TO-92. Driftstemperatur: -40...+100°C. Tröskelspänning Vf (max): 1.3V. VRRM: 32V. Antal terminaler: 2. obs: infraröd diod. Spec info: Kort kopplingstid

Diameter: 5mm. Betraktningsvinkel: 20°. Material: transparent. Funktion: Silicon PIN Photodiode. Våglängd (dominant): 850nm. Pd (effektförlust, max): 150mW°. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Hölje: LED 5mm. Tr: 0.005us. Driftstemperatur: -40...+100°C. Tröskelspänning Vf (max): 1.3V. VRRM: 20V. Antal terminaler: 2. Spec info: Kort kopplingstid

RoHS: ja. Komponentfamilj: Foto transistor. Hölje: PCB-lödning. Hölje: rektangulär, 5,08x4,44mm. Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 880nm. Kollektor-emitterspänning Uceo [V]: 30 v. Samlarström Ic [A], max.: 1.5mA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±25°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 8us. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 8us. Yttre längd [mm]: 5.08mm. Ytterbredd [mm]: 4.44mm. Yttre tjocklek [mm]: 2.54mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C

RoHS: ja. Komponentfamilj: PIN-fotodiod. Hölje: PCB-lödning. Hölje: 5mm (T-1 3/4). Konfiguration: Genomgående hålmontering på kretskort. Antal terminaler: 2. Dominant våglängd [nm]: 850nm. Stängningsspänning Ur[V], max.: 20V. Gör ström, mörkström Ir [µA]: 5nA. Halv detekteringsvinkel δ 1/2 [°]: ±20°. Tillkopplingstid tr [μsek.]: 5 ns. Avstängningsfördröjning tf [μsek.]: 5 ns. Ytterdiameter [mm]: 5mm. Yttre längd [mm]: 9mm. Ytterbredd [mm]: 5.1mm. Yttre tjocklek [mm]: 5.1mm. Driftstemperaturområde min (°C): -40°C. Drifttemperaturområde max (°C): +100°C