I lager
Fairchild
Fairchild HGTG30N60B3D N-IGBT Transistor 600V 30A TO-247
Produktreferens : HGTG30N60B3D
Mängdrabatter — Spara när du köper
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1+Bästa pris | 146.34 kr | — |
Teknisk beskrivning av produkten (HGTG30N60B3D):
Germaniumdiod: nej. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Kapsling: TO-247. CE-diod: nej. Antal anslutningar: 3. Montering/installation: genomhålsmontage för kretskort. Kanaltyp: N-P. Kapsling (enligt datablad): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Funktion: Ic 30A vid 25°C, 25A vid 110°C, Icm 220A (pulserad). Td(off): 137 ns. Kollektor-emitterspänning Vceo: 600V. Td(on): 36 ns. Kollektor-emittermättnadsspänning VCE(sat): 1.45V. Gate-emitterspänning VGE: 20V. Maximal effektförlust: 208W. Gate-emittertröskelspänning VGE(th) min.: 4.2V. Gate-emittertröskelspänning VGE(th) max.: 6V.