Slut i lager
Eupec/infineon
Eupec/Infineon FS75R12KE3GBOSA1 N-Kanal IGBT Modul 1200V 75A 355W
Produktreferens : FS75R12KE3GBOSA1
Mängdrabatter — Spara när du köper
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1+Bästa pris | 4286.87 kr | — |
Teknisk beskrivning av produkten (FS75R12KE3GBOSA1):
Kollektor/Emitter spänning Vceo: 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Kapsling (enligt datablad): annan. Kapsling: annan. Germaniumdiod: nej. RoHS: ja. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mått: 122x62x17.5mm. CE Diod: ja. Antal anslutningar: 35. Montering/installation: genomhålsmontage för kretskort. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Anmärkning: 6x IGBT+ CE Diod. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Mättnadsspänning VCE(sat): 1.65V. Ic(puls): 150A. Märkning på kapslingen: FS75R12KE3G. C (in): 5300pF. Gate-Emitter spänning VGE: 20V. Maximal effektförlust: 355W. Maximal mättnadsspänning VCE(sat): 2.15V. Gate-Emitter spänning VGE(th) min.: 5.5V. Gate-Emitter spänning VGE(th) max.: 6.5V. Kollektorström: 100A.