I lager
Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJD2065200NCTGH SiC N-Kanal MOSFET 650V 18.5A TO-247
Produktreferens : YJD2065200NCTGH
Mängdrabatter — Spara när du köper
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 69.16 kr | — |
| 2 – 4 | 61.30 kr | -11% |
| 5 – 8 | 55.34 kr | -20% |
| 9 – 29 | 50.03 kr | -28% |
| 30 – 44 | 49.68 kr | -28% |
| 45 – 89 | 45.98 kr | -34% |
| 90+Bästa pris | 44.40 kr | -36% |
Tekniska specifikationer
6 parametrar| Parameter | Värde |
| Typ | N-Kanal MOSFET |
| Spänning | 650 V |
| Ström | 18.5 A |
| Kapsling | TO-247 |
| Resistans (RDSon) | 0.200 Ohm |
Teknisk beskrivning av produkten (YJD2065200NCTGH):
Yangjie Electronic Technology YJD2065200NCTGH är en högpresterande SiC N-kanal MOSFET. Den har 650V, 18.5A, Rds < 0.200 Ohm och 105W. Den är lämplig för energihantering, DC-DC-omvandlare och motorstyrningsapplikationer. Kapslad i ett TO-247-paket.<br><br>