I lager
Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B N-Kanal Power MOSFET 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm TO-263 (D
Produktreferens : YJB110G10B
Mängdrabatter — Spara när du köper
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 26.07 kr | — |
| 5 – 9 | 21.93 kr | -16% |
| 10 – 19 | 20.30 kr | -22% |
| 20 – 49 | 18.84 kr | -28% |
| 50 – 99 | 17.76 kr | -32% |
| 100 – 799 | 17.34 kr | -33% |
| 800+Bästa pris | 17.31 kr | -34% |
Tekniska specifikationer
6 parametrar| Parameter | Värde |
| Typ | MOSFET |
| Spänning | 100 V |
| Ström | 110.0 A |
| Kapsel | TO-263 |
| Resistans (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Teknisk beskrivning av produkten (YJB110G10B):
YJB110G10B är en högpresterande MOSFET tillverkad av Yangjie Electronic Technology. Denna (YET) N-POWERFET har 100V, 110A och en Rds(on) på 0.0052 Ohm, inkapslad i ett TO-263 (D2PAK) kapsel. Den är lämplig för energihantering, DC-DC-omvandlare och motorstyrningsapplikationer.<br><br>