I lager
Texas Instruments
Texas Instruments TPS2812P Dubbel MOSFET/IGBT-Drivrutin DIP8
Produktreferens : TPS2812P
Mängdrabatter — Spara när du köper
| Kvantitet | Enhetspris | Spara |
|---|---|---|
| 1+Bästa pris | 29.45 kr | — |
Teknisk beskrivning av produkten (TPS2812P):
Texas Instruments TPS2812PE4 är en dubbel MOSFET/IGBT-drivrutin i ett DIP8-kapsel. RoHS-kompatibel. Komponentfamilj: MOSFET/IGBT-drivrutin. Kapseltyp: PCB-monterbar. Kapsel: DIP8. Utförande: Genomgående hål. Antal stift: 8. Kretstyp: MOSFET/IGBT-drivrutinskrets. Antal kretsar: 2. Matningsspänning min: +4 V/8 V. Matningsspänning max: +14 V/40 V. Driftstemperaturområde min: -40 °C. Driftstemperaturområde max: +125 °C.