STP6NK60Z

STP6NK60Z. C(tum): 905pF. Kostnad): 115pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 445 ns. Typ av transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: P6NK60Z. Pd (effektförlust, max): 104W. Resistans Rds På: 1 Ohm. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 47 ns. Td(på): 14 ns. Teknik: SuperMESH Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 600V. Port-/källspänning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Antal per fodral: 1. Funktion: Zener-skyddad, Power MOSFET-transistor. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.