Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 33.57kr | 41.96kr |
5 - 9 | 31.89kr | 39.86kr |
10 - 24 | 30.21kr | 37.76kr |
25 - 29 | 28.53kr | 35.66kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 33.57kr | 41.96kr |
5 - 9 | 31.89kr | 39.86kr |
10 - 24 | 30.21kr | 37.76kr |
25 - 29 | 28.53kr | 35.66kr |
STP62NS04Z. C(tum): 1330pF. Kostnad): 420pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 45 ns. Typ av transistor: MOSFET. Funktion: helt skyddad. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (max): 62A. Märkning på höljet: P62NS04Z. Pd (effektförlust, max): 110W. Resistans Rds På: 12.5m Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Td(av): 41 ns. Td(på): 13 ns. Teknik: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220. Spänning Vds(max): 33V. Port-/källspänning Vgs: 10V. Grind/källa spänning (av) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Antal terminaler: 3. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: ja. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 00:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.