STD13NM60N

STD13NM60N. C(tum): 790pF. Kostnad): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 290 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: 13NM60N. Pd (effektförlust, max): 90W. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 30 ns. Td(på): 3 ns. Teknik: MDmesh™ II Power MOSFET. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spänning Vds(max): 650V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.