STB12NM50ND

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	50.99kr	63.74kr
5 - 9	48.44kr	60.55kr
10 - 24	45.89kr	57.36kr
25 - 49	43.34kr	54.18kr
50 - 80	42.32kr	52.90kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	50.99kr	63.74kr
5 - 9	48.44kr	60.55kr
10 - 24	45.89kr	57.36kr
25 - 49	43.34kr	54.18kr
50 - 80	42.32kr	52.90kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Antal i lager : 80

Set med 1

STB12NM50ND. C(tum): 850pF. Kostnad): 48pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 122 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: B12NM50ND. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 40 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: FDmesh™ II Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 550V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (med snabb diod). Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Information och teknisk hjälp

Via telefon :

Via e-post

Försäljningsvillkor

Betalning och leverans

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!