STB12NM50N

Kvantitet	exkl. moms	moms incl.
1 - 4	53.84kr	67.30kr
5 - 9	51.15kr	63.94kr
10 - 24	48.46kr	60.58kr
25 - 49	45.76kr	57.20kr
50 - 99	44.69kr	55.86kr
100+	42.00kr	52.50kr

Kvantitet	U.P
1 - 4	53.84kr	67.30kr
5 - 9	51.15kr	63.94kr
10 - 24	48.46kr	60.58kr
25 - 49	45.76kr	57.20kr
50 - 99	44.69kr	55.86kr
100+	42.00kr	52.50kr

Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!

Slut i lager

Set med 1

STB12NM50N. C(tum): 940pF. Kostnad): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 340 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 100uA. IDss (min): 1uA. Märkning på höljet: B12NM50N. Temperatur: +150°C. Pd (effektförlust, max): 100W. Resistans Rds På: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Td(av): 60 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: MDmesh Power MOSFET. Hölje: D2PAK ( TO-263 ). Hölje (enligt datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spänning Vds(max): 550V. Port-/källspänning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Antal per fodral: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Avloppsskydd: ja. G-S Skydd: NINCS. Antal i lager uppdaterad den 13/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Motsvarande produkter :

Antal i lager : 80

STB12NM50ND

C(tum): 850pF. Kostnad): 48pF. Kanaltyp: N. Trr-diod (Min.): 122 ns. Typ av transistor: MOSFET. Id(i...

Set med 1

63.74kr moms incl.
(50.99kr exkl. moms)

63.74kr

Vi rekommenderar även :

Antal i lager : 3536

CEL100UF63VESR-B

DC spänning: 63V. Diameter: 10mm. längd: 16mm. Impedans: 0.14 Ohms. Konfiguration: vertikal monte...

[MODCATID]

[LOT]

3.15kr moms incl.
(2.52kr exkl. moms)

3.15kr