Kvantitet | exkl. moms | moms incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 20.03kr | 25.04kr |
5 - 9 | 19.03kr | 23.79kr |
10 - 24 | 18.43kr | 23.04kr |
25 - 49 | 18.03kr | 22.54kr |
50 - 99 | 17.63kr | 22.04kr |
100 - 249 | 12.55kr | 15.69kr |
250 - 18558 | 12.11kr | 15.14kr |
Kvantitet | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 20.03kr | 25.04kr |
5 - 9 | 19.03kr | 23.79kr |
10 - 24 | 18.43kr | 23.04kr |
25 - 49 | 18.03kr | 22.54kr |
50 - 99 | 17.63kr | 22.04kr |
100 - 249 | 12.55kr | 15.69kr |
250 - 18558 | 12.11kr | 15.14kr |
P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.7A - SI4431BDY-T1-E3. P-kanal transistor, PCB-lödning (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.7A. Hölje: PCB-lödning (SMD). Hölje: SO8. Kapsling (JEDEC-standard): MS-012. Drain-source spänning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. RoHS: ja. Komponentfamilj: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: ytmonterad komponent (SMD). Antal terminaler: 8. Tillverkarens märkning: SI4431BDY-T1-E3. Dränera ström genom motståndet Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Gate haverispänning Ugs [V]: -3V. Inkopplingstid ton [nsec.]: 20 ns. Avstängningsfördröjning tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1600pF. Maximal förlust Ptot [W]: 1.5W. Driftstemperaturområde min (°C): -55°C. Drifttemperaturområde max (°C): +150°C. Originalprodukt från tillverkaren Vishay (siliconix). Antal i lager uppdaterad den 08/06/2025, 11:25.
Information och teknisk hjälp
Betalning och leverans
Leverans inom 2-3 dagar, med postspårning!
Alla rättigheter förbehållna, RPtronics, 2024.