P-kanal transistor RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

P-kanal transistor RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
23.80kr
5-24
22.66kr
25-49
19.56kr
50-99
17.54kr
100+
16.21kr
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 146

P-kanal transistor RFD8P05SM, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 25uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 50V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: zenerdiod. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: P. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Märkning på höljet: D8P05. Pd (effektförlust, max): 48W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 20A. Td(av): 42 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: Power MOSFET MegaFET. Trr-diod (Min.): 125us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: Harris. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
RFD8P05SM
28 parametrar
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
25uA
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spänning Vds(max)
50V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
zenerdiod
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
6A
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
P
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Märkning på höljet
D8P05
Pd (effektförlust, max)
48W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.3 Ohms
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 20A
Td(av)
42 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
Power MOSFET MegaFET
Trr-diod (Min.)
125us
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
Harris

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för RFD8P05SM