P-kanal transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-kanal transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.15kr
5-24
12.52kr
25-49
11.18kr
50+
9.83kr
Antal i lager: 92

P-kanal transistor SPD08P06P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 10uA. Hölje: D-PAK ( TO-252 ). Hölje (enligt datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spänning Vds(max): 60V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 2. Avloppsskydd: diod. C(tum): 335pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 35A. Kanaltyp: P. Kostnad): 105pF. Montering/installation: ytmonterad komponent (SMD). Pd (effektförlust, max): 42W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 35.2A. Td(av): 48 ns. Td(på): 16 ns. Teknik: SIPMOS Power-Transistor. Trr-diod (Min.): 60us. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Originalprodukt från tillverkaren: Infineon Technologies. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:30

Teknisk dokumentation (PDF)
SPD08P06P
30 parametrar
ID (T=25°C)
8.8A
Idss (max)
10uA
Hölje
D-PAK ( TO-252 )
Hölje (enligt datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spänning Vds(max)
60V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
2
Avloppsskydd
diod
C(tum)
335pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
6.2A
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
35A
Kanaltyp
P
Kostnad)
105pF
Montering/installation
ytmonterad komponent (SMD)
Pd (effektförlust, max)
42W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.23 Ohms
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 35.2A
Td(av)
48 ns
Td(på)
16 ns
Teknik
SIPMOS Power-Transistor
Trr-diod (Min.)
60us
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2.1V
Originalprodukt från tillverkaren
Infineon Technologies