P-kanal transistor IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V

P-kanal transistor IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
15.65kr
5-24
13.43kr
25-49
11.89kr
50-99
10.60kr
100+
8.11kr
+25 ytterligare stycken finns i lager (leverans inom 4 timmar). Kontakta oss för pris och tillgänglighet!
Ekvivalens tillgänglig
Antal i lager: 103

P-kanal transistor IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V. Hölje: TO-220. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 500uA. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avgift: 38.7nC. Avloppsskydd: ja. Bostadsmotstånd: 1.9K/W. C(tum): 860pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Dräneringskälla spänning: -100V. Dräneringsström: -14A. Effekt: 79W. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. Grindspänning: 20V, ±20V. ID (T=100°C): 8.2A. IDss (min): 100uA. Id(imp): 48A. Kanaltyp: P. Konditionering: tubus. Kostnad): 340pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 88W. Polaritet: unipolär. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 39 ns. Td(på): 12 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 120ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9530
38 parametrar
Hölje
TO-220
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
500uA
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avgift
38.7nC
Avloppsskydd
ja
Bostadsmotstånd
1.9K/W
C(tum)
860pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Dräneringskälla spänning
-100V
Dräneringsström
-14A
Effekt
79W
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
Grindspänning
20V, ±20V
ID (T=100°C)
8.2A
IDss (min)
100uA
Id(imp)
48A
Kanaltyp
P
Konditionering
tubus
Kostnad)
340pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
88W
Polaritet
unipolär
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.3 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
39 ns
Td(på)
12 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
120ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier

Likvärdiga produkter och/eller tillbehör för IRF9530