P-kanal transistor IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

P-kanal transistor IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Kvantitet
Enhetspris
1-4
16.94kr
5-24
14.58kr
25-49
12.78kr
50-99
11.36kr
100+
9.40kr
Antal i lager: 45

P-kanal transistor IRF9530N, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Hölje: TO-220. Hölje (enligt datablad): TO-220AB. Spänning Vds(max): 100V. Antal per fodral: 1. Antal terminaler: 3. Avloppsskydd: zenerdiod. C(tum): 760pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Höghastighetsväxling. G-S Skydd: nej. ID (T=100°C): 10A. IDss (min): 25uA. Id(imp): 56A. Kanaltyp: P. Kostnad): 260pF. Montering/installation: Genomgående hålmontering på kretskort. Pd (effektförlust, max): 79W. Port-/källspänning Vgs: 20V. Resistans Rds På: 0.20 Ohms. RoHS: ja. Td(av): 45 ns. Td(på): 15 ns. Teknik: HEXFET Power MOSFET. Trr-diod (Min.): 130 ns. Typ av transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Originalprodukt från tillverkaren: International Rectifier. Antal i lager uppdaterad den 13/11/2025, 07:43

Teknisk dokumentation (PDF)
IRF9530N
30 parametrar
ID (T=25°C)
14A
Idss (max)
250uA
Hölje
TO-220
Hölje (enligt datablad)
TO-220AB
Spänning Vds(max)
100V
Antal per fodral
1
Antal terminaler
3
Avloppsskydd
zenerdiod
C(tum)
760pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Höghastighetsväxling
G-S Skydd
nej
ID (T=100°C)
10A
IDss (min)
25uA
Id(imp)
56A
Kanaltyp
P
Kostnad)
260pF
Montering/installation
Genomgående hålmontering på kretskort
Pd (effektförlust, max)
79W
Port-/källspänning Vgs
20V
Resistans Rds På
0.20 Ohms
RoHS
ja
Td(av)
45 ns
Td(på)
15 ns
Teknik
HEXFET Power MOSFET
Trr-diod (Min.)
130 ns
Typ av transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Originalprodukt från tillverkaren
International Rectifier